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  • Winbond Serial Flash系列产品特点：
    • Winbond Serial Flash系列规格参数
• 内存容量说识别
  • （1）HYUNDAI（现代）
  • （2）SEC（Samsung Electronics，三星）
  • （3）Kingmax(胜创)
  • （4）Geil(金邦、原樵风金条)
  • （5）Winbond(华邦)
• 内存颗粒型号识别

• 解述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念
• 华邦WINBOND SPI FLASH

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Winbond Serial Flash系列产品特点：

• 体积小— 由于串行flash采用比并行flash更少的连线在一个系统中传送数据，所以缩小的系统板的空间，能常采用SOIC8、DFN、BGA等封装；
• 低功耗 — 串行SPI FLASH器件采用串行接口进行连续数据存取，所以可以达到工作电流：7mA 待机电流：8uA；
• 工作温度范围宽 - 最新的Q版本工作温度在-40 to +105；
• 快速擦除烧录程式 —通过4KByte统一Sector-Erase,32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力，目前已达到数据擦除：18mS；
• 成本低，用途广 - 由于是台湾生产与加工，无形中降低了很多成本。广泛应用于数码类以及消费类电子产品中；
• 产品线长 - 串行SPI FLASH产品提供512Kb - 128Mb的密度、I2C、Microwire 和 SPI 兼容协议。

Winbond Serial Flash系列规格参数

内存容量说识别

（1）HYUNDAI（现代）

现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。其SDRAM芯片编号格 式 为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s， 具体的编号含义可以在现代的网站上找到： 其中HY代表现代的产品：

• 5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
• <2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；
• <345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、 4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、 16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；
• <67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；
• <8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；
• <9> 代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；
• <10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；
• <11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；
• <13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或 3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。 另外，以前LGS(LG Semicon)也是韩国的一大内存芯片厂商，但后来被HY兼并。LGS SDRAM内存芯片编号格式 为：GM72V <12> <34> <5> 1 <6> <7> <8> <9.10> 其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；V代表3.3V；<12>代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；& lt;34>表示数据位宽(一般为4、8、16等)；<5>代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；1代表I/O接 口：LVTTL；<6>表示内核版本；<7>代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；<8>代表封装（T=常见的 TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；<9.10>代表速度 （7.5=7.5ns［133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100 CL2或 3］，7J=10ns［100MHz］，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。 以上的内存编号只是属于旧编号，下面是现代最新编号的规则，不过大体上还是相同，这里就不再重复了。

（2）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星内存也是市场上常见的内存芯片之一 。三星SDRAM内存芯片编号规则可以看看下面详细的列表： 除了DRAM，我们还可以了解一下RDRAM的芯片编号： 三星RAMBUS DRAM内存芯片编号，以KM418RD8C为例：

• KM表示三星内存；
• 4代表RAM种类（4=DRAM）；
• 18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；
• RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；
• 8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；
• C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；
• 80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一。在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三 倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性。 Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上 CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。 KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中：

• 红色金条是PC133内存；
• 金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；
• 绿色金条是PC100内存；
• 蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；
• 蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；
• 银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
• 金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
• 其中GL2000代表芯片类型
• GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；
• GP代表金邦科技的产品；
• 6代表产品家族（6=SDRAM）；
• LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；
• 16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；
• 8 = 基粒数目；
• M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；
• 4表示版本；
• TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113
• FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；
• -7是存取时间（7=7ns（143MHz））； AMIR是内部标识号。 以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP II封装，0.2微米3.3V，Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）Winbond(华邦)

Winbond(华邦)的显存编号和现代差不多，其编号规格为：W <12> <34> <56> <78> W代表Winbond；

• <12>代表显存类型，98为SDRAM，94为DDRRAM；
• <34>代表颗粒的容量（08=8Mbits，16=16Mbits，64=64Mbits，12=128Mbits，25=256Mbits）
• <56>代表颗粒的位宽（16=16bit，32=32bit，G6=16bitBGA封装，G2=32bitBGA封装 ）
• <78>代表颗粒的版本号和封装（7代表版本号，常见的版本号为B和H；8代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装） 通过以上就改好了。 好了之后用JTAG刷好CFE，刷好CFE之后用TFTP刷固件。

内存颗粒型号识别